depletion of the ogallala aquifer

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1、什么是 depletion mode MOSFET　　根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

2、耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

3、　　耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在UGS=0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，形成N型导电沟道。

4、　　当UDS>0时，将产生较大的漏极电流ID。

5、如果使UGS<0，则它将削弱正离子所形成的电场，使N沟道变窄，从而使ID减小。

6、当UGS更负，达到某一数值时沟道消失，ID=0。

7、使ID=0的UGS我们也称为夹断电压，仍用UP表示。

8、UGS

9、　　N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似，只有一点不同，就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压uGS=0时，沟道已经存在。

10、该N沟道是在制造过程中应用离子注入法预先在衬底的表面，在D、S之间制造的，称之为初始沟道。

11、N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图1.（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。

12、所以当VGS＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。

13、于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。

14、当VGS＞0时，将使ID进一步增加。

15、VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。

16、对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。

17、N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图1.（b）所示。

18、   (a) 结构示意图 　　　　　　            (b) 转移特性曲线。

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