ASML回击High-NA光刻机过于昂贵的指责，称新技术是最具成本效益的解决方案

去年末，ASML向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机，从荷兰的费尔德霍芬运送到美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地，并在接下来的几个月内完成安装。据了解，每台High-NA EUV光刻机的成本约在3到4亿美元。

近日SemiAnalysis的分析师表示，半导体制造商使用ASML新一代High-NA EUV光刻机在财务上意义不大。对于这种说法，ASML毫无疑问不会同意的，在接受Bits and Chips采访时，ASML首次财务官Roger Dassen对于SemiAnalysis的进行了回击。

Roger Dassen认为SemiAnalysis低估了High-NA EUV光刻机的好处，可以避免制造上双重或四重曝光带来的复杂性，只需要向英特尔了解一下就能明白了，称新技术在逻辑和存储芯片方面是最具成本效益的解决方案。从这点可以理解，错过了EUV机遇的英特尔，为什么最早下单High-NA EUV光刻设备。

具有高数值孔径的新型High-NA EUV系统可提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征，同时每小时能生产超过200片晶圆。晶圆代工厂显然了解使用High-NA EUV光刻机的利弊，ASML表示客户已在2024年至2025年开始研发工作，并在2025年至2026年间进入大规模生产阶段。

标签：

版权声明：本文由用户上传，如有侵权请联系删除！