中国芯最大短板是制造：设计、封测不是问题，制造落后4代

众所周知，因为中国芯的崛起，让美国担心自己的领先地位受到挑衅，所以这几年，美国不断的出手，打压中国芯。

从现在的情况来看，美国对中国半导体行业的限制策略，已经从之前的 “ 保持相对优势 ”，加强到了 “ 保持绝对优势 ” 的状态。只要看到哪一家中国芯片企业有崛起的苗头，直接就拉入黑名单，进行打压。

而事实上，我们看看目前的中国芯，最大的短板还是在制造这一块，我们其实已经能够设计、封测最先进的芯片，但制造拉跨跟不上。

所以这让就美国有了出手的机会，如果制造能够跟上来，达到最先进的水平，估计这些禁令也就不攻自破了。

先说设计这一块，国内有很多的IC企业，并且技术非常先进，大家最熟悉的华为麒麟芯片，之前一直与苹果、高通、联发等等企业的设计水平是同步的。华为还有鲲鹏、昇腾等等芯片，之前一直处于世界领先水平，只是后来无法制造了。

还有一些矿机厂商，目前的设计工艺已经达到了3nm，不输给任何世界级巨头，三星的3nm工艺，其首批客户就是国内的矿机企业，很明显，国内的设计水平是不差的。

再看封测这一块，全球10大封测企业，中国大陆就有三家上榜，这三家企业合计占了全球20%+的份额。

封测本身门槛并不高，目前国内的三大封测企业，均能够封测3nm的芯片，这是三大封测企业在互动平台公开承认过的，这三大封测企业，与高通、台积电等企业，都建立了合作关系，所以封测水平也是全球领先的。

但是制造水平就差得较远了。大陆最先进的芯片制造企业是中芯国际，目前的真实水平是14nm。至于14nm以下的工艺，虽然一直在努力，但什么时候能够实现，可能遥遥无期，因为EUV光刻机买不到。

而台积电、三星目前已经达到了3nm，14nm和3nm之间，还隔了10nm、7nm、5nm，相当于差了4代，这4代按照台积电之前的发展经验来看，就算什么都不卡，都起码要8年以上的时间才行。

而现在EUV光刻机被卡，14nm以下的半导体设备被卡，这4代工艺追上来，不知道要多久。

可见，我们目前最重要的是将制造能力提升上来，然后就再也不怕了，而制造能力提升上来，就需要整个产业链提升上来，因为制造能力的提升，其实靠的是半导体设备能力的提升。

而在提升这些能力，需要的不断的砸钱，更重要的是需要大量的人才，十年如一日的坚持。

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