SK海力士发布首款采用HKMG工艺的1anm 8.5 Gbps LPDDR5x DRAM

SK海力士发布全球首款采用HKMG工艺的1anm 8.5 Gbps LPDDR5x DRAM，这也是世界上第一个集成了HKMG（High-K Metal Gate）工艺的移动DRAM。LPDDR5X拥有更高的能效，比上一代产品降低了25%，并可在JEDEC（联合电子器件工程委员会）规定的1.01V至1.12V的超低电压范围内运行。

对于LPDDR来说，正如其标准名称LP（Low Power）所暗示的那样，拥有低能耗是其最大的优势。由于移动设备的功率是有限的，因此有必要尽可能地降低功耗以延长电池续航时间。

这就是为什么降低功耗与提高运行速度同样重要。LPDDR5X是移动DRAM中第一个集成了HKMG工艺的产品，让产品同时带来了性能的提高和功耗的降低。由于LPDDR5X降低了DRAM的功耗，此类产品功耗的降低后也可以让消费者使用的电力减少。

目前LPDDR5X的工作速度为8.5Gbps，比上一代产品快33%。这款DRAM产品主要面向无线电子设备，包括智能手机、笔记本电脑和平板电脑。

SK Hynix在LPDDR的开发过程中不遗余力，该公司在2021年量产了18GB的LPDDR5，这是当时业内最大的容量，并在一年后推出了最快的LPDDR5X（4266 MHz/8.5 Gbps），巩固了其在内存半导体领域的领先地位。

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