台积电最高可获美国政府66亿美元补贴 计划在美建第三座晶圆厂

21世纪经济报道记者倪雨晴、实习生朱梓烨 深圳报道

日前，台积电宣布美国商务部和TSMC Arizona已签署一份非约束性的初步条款备忘录，基于《芯片与科学法案》的规则，台积电将获得最高可达66亿美元的直接补贴。

同时，备忘录提出，可以向台积电提供最高可达50亿美元的贷款，而台积电还计划在TSMC Arizona资本支出中符合条件的部分，向美国财政部申请最高可达25%的投资税收减免。此外，台积电宣布，计划在TSMC Arizona设立第三座晶圆厂以满足客户需求。

台积电在公告中表示，公司将维持其对长期财务目标的承诺，即营收以美元计的年复合成长率为15%至20%、毛利率达53%以上，且股东权益报酬率高于25%。

台积电官方披露，在美国亚利桑那州的第一座晶圆厂依进度将在2025年上半年开始生产4纳米制程技术，第二座晶圆厂将采用2纳米制程技术，预计于2028年开始生产；第三座晶圆厂则预计在21世纪20年代底采用2纳米或更先进的制程技术来进行芯片生产。

同时台积电表示，设立第三座晶圆厂的计划将使得台积电在亚利桑那州凤凰城据点的总资本支出超过650亿美元，这将是亚利桑那州史上规模最大的外国直接投资案，也是美国史上规模最大的外国在美直接绿地（greenfield）投资案。

近年来台积电的生产体系不断向海外扩张布局，除在美国亚利桑那州设立的三座工厂外，台积电还在日本南部的熊本县建立了两座晶圆工厂，并在去年宣布在德国德累斯顿投资约35亿欧元设立晶圆厂，形成了横跨欧美亚三洲的全球布局。

在业内人士看来，近年全球各大区域都在强化本地制造的能力，尤其是争夺半导体这样的制造高地，因此各国都在招揽芯片巨头前来建厂。

据报道，三星也在近期计划大幅增加其在美国德克萨斯州泰勒市的半导体投资，在2021年宣布的计划投资170亿美元建造一座5nm晶圆厂的基础上，再新建一座先进制程晶圆厂、一座先进封装厂和一个研发中心，使得总体的投资金额达到约440亿美元。

美国对半导体制造研发领域的优惠政策也持续不断，上月英特尔也宣布获得美国政府的85亿美元直接补贴，用于推进英特尔在亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒冈州的半导体制造和研发项目。

另一方面，近期美国还在继续收紧半导体出口管制，并且欲强化同盟之间的联合动作，全球的半导体格局也将继续受到政策的影响。

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