s8050三级管参数(s8050三极管参数)

您好,蔡蔡就为大家解答关于s8050三级管参数，s8050三极管参数相信很多小伙伴还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、s8050三极管基本参数：类型：NPN。

2、集电极耗散功率Pc：0.625W（贴片：0.3W）。

3、集电极电流Ic：0.5A。

4、集电极-基极电压Vcbo：40V。

5、集电极-发射极电压Vceo：25V。

6、集电极-发射极饱和电压Vce(sat)： 0.6V。

7、特征频率f： 最小150MHz。

8、按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档。

9、放大倍数：B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350。

10、管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B。

11、S8050是一款小功率NPN型硅管，集电极-基极（Vcbo）电压最大可为40V，集电极电流为（Ic）0.5A。

12、S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。

13、扩展资料理论原理：对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

14、当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。

15、由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。

16、参考资料来源：百度百科-S8050参考资料来源：百度百科-三极管。

本文就讲到这里，希望大家会喜欢。

标签：

版权声明：本文由用户上传，如有侵权请联系删除！