熬过2023年谷底，存储产业能否借力AI绝处逢生？

集微网报道，当今全球半导体行业年产值超5000亿美元，存储芯片行业占比约22.6%。但是这一领域短短三年间经历了过山车一般的激荡，2023年全年产值暴跌超30%。自疫情带来的短期爆发之后，从2021年第四季度起存储芯片单价便一路下滑，不论是DRAM还是NAND均在2023年第二、第三季度来到谷底，早已击穿成本，全球三大原厂也不得不在过去的一年承受巨额亏损。

以NAND、DRAM为主的存储行业，在2023年末终于迎来回暖迹象，合约价涨幅明显，那么存储行业2024年能否走出谷底，借助人工智能（AI）等浪潮绝处逢生？

营收跌超30%，2023年遭遇寒冬

2020年起新冠疫情带来的全球半导体热潮，短时间推动存储芯片各领域快速拉升。然而，爆发性消费势必带来之后的需求减弱，个人电脑（PC）、智能手机在2022年至2023年间需求下滑明显。俄乌冲突、通货膨胀以及地缘政治等不稳定因素影响，进一步加剧了终端需求的下滑，而存储芯片领域，DRAM、NAND及模组厂商严重依赖消费电子，受到冲击最为严重。以主要产品DDR4 8Gb为例，一年内价格暴跌45%。

除了需求下滑之外，高库存也让企业经营雪上加霜。不论是三星、SK海力士、美光等原厂，还是经销商、终端客户，疫情期间扩大的产能惯性，使得库存水位居高。此后需求的迅速下降，更使得库存压力在2022年陡然增加。日本三井住友信托银行分析三星、美光等厂商，得出“库存周转天数”在2022年10~12月创下了过去10年来最高纪录，达到158天。多种因素加持下，存储芯片价格快速下跌，因此厂商不得不以低于成本价清库存，这也导致存储厂商遭遇始料未及的季度亏损。

2023年上半年，三星电子负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）的库存资产达33.6896万亿韩元（约合251.769亿美元），与2022年同期的21.5079万亿韩元相比激增56.6%。

研究机构Counterpoint统计，三星受到NAND Flash、DRAM两大市场萎缩影响，2023年营收减少38%至434亿美元，2023年失去全球最大半导体公司地位，被英特尔赶超。SK海力士2023年营收大减33%，排名从第四跌至第六；美光科技同样大幅下跌36%。

手机、PC和可穿戴市场的需求疲软，同样影响NOR Flash领域，2023年也经历了价格下跌。华邦电此前对工厂减产30%～40%。华邦电预计，进入2024年NOR Flash价格跌幅将收窄至10%以内，虽然手机和PC将复苏，但NOR闪存供应商之间的竞争仍将激烈。

纵观2023年整体半导体产业，凭借年初人工智能（AI）带来并持续的热潮，行业平稳度过低谷期，机构预计全年总营收约为5213亿美元，年减8.8%。可以看出，存储行业超过30%的跌幅，遭受的冲击显著高于半导体产业总体水平。

大厂减产生效，合约价谷底反弹

自2022年下半年起至2023年初，以三星为首的存储大厂频频放出减产消息，并且在几个月之后一再加大减产力度。美光科技宣称，将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%；铠侠2022年宣布将晶圆投入量减少三成；三星进行了多轮减产，减产DDR4芯片并转向DDR5、LPDDR5生产，同时对西安厂等地NAND产能进行控制，以稳定价格。2023年上半年，三星减产程度约25%。

进入2023年第三季度，不论是现货市场还是合约价，DRAM、NAND存储芯片/模组价格均开始上涨，止跌迹象很明显。研究机构统计，2023年第四季度，移动设备DRAM内存芯片涨幅达18%～23%，eMMC、UFS存储芯片涨幅10%～15%。SSD固态硬盘方面，2023年7月起同样保持稳定的涨幅，迅速摆脱历史低点。

智能手机厂商在2023年末推出一系列新品，业界表示，从今年第三季度开始，智能手机制造商的库存调整工作已经停止。小米表示，移动存储芯片价格还将继续上涨。

DRAM产品中，2023年11月代表性产品DDR4 8Gb大宗交易价格为每片1.65美元左右，较10月上涨11%，为2021年6月以来的首次上涨；NAND产品中，2023年10~12月代表性TLC产品256Gb价格为每片1.85美元左右，较上一季度上涨12%，为9个季度以来首次呈现上涨。日本电子产品商社指出，“存储芯片库存过剩情况缓解，减产效应终于显现。”

HBM需求高涨，乘AI东风未来可期

消费数码需求低迷之外，也有利好信号为市场注入活力。ChatGPT引发人工智能（AI）的火热，在2023年带动先进制程、封装等产业链一路上扬。AI不仅需要高算力芯片，同时对高性能、高利润HBM内存芯片的需求也迅速增长。由于采用堆叠8至12层硅晶圆的方式，HBM与传统DRAM相比，速度、容量可提高十倍，这类芯片通常与GPU、CPU核心组成3D封装，进一步提高互联带宽。

HBM是高附加值产品，毛利是常见DRAM芯片的5~10倍。不过，在整个DRAM市场中HBM的份额仅为1%，人工智能的火热无法遏制2023年整体存储市场的跌势。

以目前最受欢迎的英伟达H100芯片为例，其搭载6颗HBM3芯片，总容量80GB。2023年11月新推出的H200 AI加速卡，采用新升级的HBM3e芯片，总容量增至141GB。

三星、SK海力士、美光均已布局HBM芯片多年，并持续将该领域研发作为优先事项，并量产当前最先进的HBM3e产品。机构统计2022年HBM市场中，SK海力士占据50%的市场份额，三星占比40%，美光占比10%。随着新产品的陆续推出以及量产，预计2023～2024年各家份额会有变化。

美光表示，日本广岛工厂将生产HBM芯片；三星在美国得克萨斯州新建的芯片工厂未来也有望生产先进制程HBM芯片。SK海力士将在美国印第安纳州建设先进工厂，消息人士近期透露该工厂将专门负责HBM芯片制造，预计2024年一季度将供应给英伟达。

2024年，三大存储厂商HBM3e产品将开始放量出货，除了英伟达、AMD、英特尔之外，一些科技巨头自研AI芯片同样需要HBM芯片。机构预测，2024年HBM营收年增长率将达到172%。

据市场调查机构Gartner预测，2022～2027年，全球HBM市场规模将从11亿美元增至52亿美元，复合年均增长率（CAGR）为36.3%。同期，HBM容量需求将从1.23亿GB增加到9.72亿GB，复合年均增长率为51.3%。

2024年初，多方报道称长鑫存储也在计划制造HBM高带宽内存芯片，以满足AI等领域的迫切需求。

展望2024年，回暖趋势稳健

进入2024年，业界普遍看好消费电子领域的复苏。有供应链厂商表示，人工智能个人电脑（AI PC）预计将在2024年下半年开始放量；DDR5内存的进一步普及、电子终端搭载内存容量的提升，也将推动存储芯片发展。1月有消息称，三星等厂商开始考虑恢复DDR5等芯片产能，预计第一、第二季度会出现部分产品供不应求的状况。

业内人士称，NAND闪存价格自2023年下半年以来飙升了60%～70%。手机品牌厂商嗅到涨价势头，也在囤积存储芯片。

进入2024年，TrendForce集邦咨询预计一季度DRAM合约价季涨幅约13%～18%；NAND Flash则是18%～23%。第二季度合约价涨幅将放缓，第三季度进入传统旺季之后，两类芯片季涨幅有机会扩大至8%～13%，其中DRAM得益于DDR5、HBM渗透率提升，导致平均单价提高，可带动整体DRAM市场涨幅扩大。预计2024年全年，DRAM涨幅可达32%～52%，NAND Flash涨幅可达29%～49%。

尽管当今全球仍面临经济、政治等不确定因素，但至少业界对于消费电子、AI等领域仍抱有乐观展望；即便部分产品领域难以很快迎来复苏，但至少不会比2023年的行业低谷表现更差。AI高端服务器的需求预计仍将长期持续，未来继续保持双位数百分比年增长率。对于半导体存储领域厂商来说，至少AI领域的蓬勃发展，将从数据中心逐渐扩展至消费市场，进而保证企业的营收以及利润率，同时推动对前沿技术的研发和投入。

作为半导体产业中占比超过20%的存储行业，产品渗透几乎每一类终端硬件。因此，在行业对总体市场未来几年的乐观预期下，存储芯片厂商势必也将受惠于各类新需求、新技术的增长，从而走出2023年这一行业低谷，迎来复苏增长的新周期。

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