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长鑫存储计划生产HBM内存,填补国产存储器产品空缺

发布时间:2024-02-05 10:33扶芸哲来源:

导读近年来高带宽内存的需求急剧上升,尤其是随着人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头,...

近年来高带宽内存的需求急剧上升,尤其是随着人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头,目前都在开发新产品,特别是HBM4等下一代技术受到了业界的极大关注,预计未来将占据主导地位。

据相关媒体报道,长鑫存储(CXMT)计划生产HBM内存,正在采购必要的设备,已经获得用于HBM存储器组装和测试的装置。


目前市场上主流的HBM3是8层或12层垂直堆叠,中间通过硅通孔(TSV)互联,然后放在一个基本逻辑芯片上,采用1024位接口连接。虽然看起来很简单,但实际上并非如此,而且制造HBM是一项复杂的任务。其生产的设备与传统存储器的设备有着根本的不同,而且生产过程中要对其进行测试,然后封装,最后再测试整个堆栈。其中需要大量的工具和专业知识,但HBM产品在带宽和能效方面胜于市面上其他所有类型的内存。

长鑫存储已经在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂,并筹集资金建造第二座,将引入更先进的工艺技术,用于制造和封装HBM存储器。此外,长鑫存储尚未开发自己的HBM生产和封装技术,也不清楚是哪类型的HBM,预计未来一到两年内还不能看到相关的产品。

国内一些芯片厂商还希望将HBM与逻辑芯片集成在一起,类似于台积电的CoWoS封装,这也迫使中芯国际需要开发更先进的封装技术。

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